鸭脖官网_解密英特尔、台积电、三星14/16纳米的区别

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更新时间:2021-06-25

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鸭脖官网_解密英特尔、台积电、三星14/16纳米的区别

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近日合作媒体《天下杂志》一篇〈台积电知道打破英特尔?

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本文摘要:近日合作媒体《天下杂志》一篇〈台积电知道打破英特尔?

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近日合作媒体《天下杂志》一篇〈台积电知道打破英特尔?大客户这样吐槽……〉辩论台积电、三星的技术节点数字难道做到过美化的问题引发极大的注目,这样的问题只不过在先前即为半导体业界所持续论战,并在苹果A9芯片门事件,iPhone6sA9处理器分由台积电、三星代工时辩论回到最高峰,以实际情况而言,台积电、三星制程技术知道跟英特尔劣相当大?  半导体三雄纳米制程究竟在相争什么?  台积电、三星与英特尔的先进设备制程竞赛打得火热,在目前14/16纳米之后,制程战一路回到了10纳米。这些数字背后的意义只不过所指的是“线宽”,准确一点而言,就是金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)的闸极长度(GateLength)。  场效电晶体用闸极来掌控电流的通过与否,以代表0或1的数位讯号,也是整个结构中最微小、简单的关键,当闸极可以增大,电晶体体积也能回来增大,一来转换速度以求提高,每个芯片能塞进更加多电晶体或增大芯片体积;再者,当闸极长度愈小,闸极下方电子地下通道愈多较宽,之间的切换效率提高、能量的损耗也能减少,缴增加耗电量之效,但当闸极太薄,源近于与汲极距离愈多附近,电子也有可能不小心偷溜过去产生溢电流,加以也有推动力严重不足的问题,这也是为何制程微缩可玩性越来越低;台积、英特尔与三星群雄间争的你死我活的原因。

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(Source:Hightech科技台湾)  三者14/16制程节点数字都灌水?  包括半导体芯片和系统还原工程与分析厂商ChipWorks、Techinsights与半导体分析厂商LinleyGroup都对台积电、三星、英特尔16/14纳米做到过较为。  从LinleyGroup与Techinsights实际分析的结果,包括英特尔、台积电与三星在14/16纳米实际线宽只不过都没有超过其称之为的制程数字,根据两者的数据,台积电16纳米制程实际测量大于线宽是33纳米,16纳米FinFETPlus线宽则为30纳米,三星第一代14纳米是30纳米,14纳米FinFET是20纳米,英特尔14纳米制程在两家机构测量结果分别为20纳米跟24纳米。

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